- Memory-Legierung
- fсплав с памятью, сплав с эффектом памяти (формы)
Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen. 2013.
Memory-Legierung
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Memory-Legierung — Me|mo|ry Le|gie|rung [ memərɪ ; engl. memory = Gedächtnis]; Syn.: Formgedächtnislegierung: an kalt geformten Blechen aus Ni Ti Leg. oder Cu Zn Al Leg. beobachtbare Erscheinung, der zufolge die Bleche beim Erwärmen die ursprüngliche, vor der… … Universal-Lexikon
Memory-Legierungen — [ memərɪ ; englisch memory »Gedächtnis«], Formgedächtnislegierungen, Gedächtnislegierungen [englisch shape memory alloys], Gedächtnismetalle, Metalllegierungen mit der Fähigkeit, sich beim Erwärmen in eine frühere Form zurückzuverwandeln.… … Universal-Lexikon
Memory-Effekt — Unter Memory Effekt (engl. memory für Speicher) werden verschiedene Dinge verstanden: Die Verringerung der Akku Kapazität, siehe Memory Effekt (Akkumulator) Eine Eigenschaft von bestimmten Legierungen, siehe Formgedächtnis Legierung.… … Deutsch Wikipedia
Formgedächtnis-Legierung — Formgedächtnislegierungen (FGL, engl. shape memory alloy, SMA) werden oft auch als Memorymetalle bezeichnet. Dies rührt von dem Phänomen, dass sie sich an eine frühere Formgebung trotz nachfolgender starker Verformung scheinbar „erinnern“ können … Deutsch Wikipedia
Phase-change random access memory — (Abk.: PCRAM oder PRAM, in einer speziellen Ausführung auch „Ovonics Unified Memory“, OUM, oder „chalcogenide RAM“, C RAM) ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik (Stand 2009). Das Wirkprinzip des Speichers ist die Änderung … Deutsch Wikipedia
Ovonic Unified Memory — Phase change RAM (Abk.: PCRAM oder PRAM, in einer speziellen Ausführung auch Ovonics Unified Memory / OUM oder chalcogenide RAM / C RAM) ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik. Das Wirkprinzip des Speichers ist die… … Deutsch Wikipedia
Ovonics Unified Memory — Phase change RAM (Abk.: PCRAM oder PRAM, in einer speziellen Ausführung auch Ovonics Unified Memory / OUM oder chalcogenide RAM / C RAM) ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik. Das Wirkprinzip des Speichers ist die… … Deutsch Wikipedia
Phase Change Random Access Memory — Phase change RAM (Abk.: PCRAM oder PRAM, in einer speziellen Ausführung auch Ovonics Unified Memory / OUM oder chalcogenide RAM / C RAM) ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik. Das Wirkprinzip des Speichers ist die… … Deutsch Wikipedia
Thin Film Memory — 1961 entwickelt von Sperry Rand [1] während eines durch die USA geförderten Forschungsprojekts, bezeichnet eine schnellere Variation von Kernspeichertechnologie. Anstelle von Ferrit wurde ein Thin Film (dünner Film) mit einer Schichtdicke von ca … Deutsch Wikipedia
Nitinol — Ni|ti|nol [Kunstw. aus Nickel, Titan u. engl. Naval Ordnance Laboratory = Marinewaffenlaboratorium in Silver Spring, Maryland/USA (wo die Leg. entwickelt wurde)], das; s: eine Leg. aus 55 % Ni u. 45 % Ti mit sog. Formgedächtnis (↑ Memory… … Universal-Lexikon
Martensit — Mar|ten|sịt [nach dem dt. Ingenieur A. Martens (1850–1914); ↑ it (2)], der; s, e: beim Härten von Stahl u. a. Leg. durch Abschrecken erzielbare bes. Gefügeform, die für Härte u. Sprödigkeit, ggf. auch für bes. Memory Effekte (↑ Memory Legierung) … Universal-Lexikon
